
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.00329 | ¥5.00 |
| 10 | ¥3.416534 | ¥34.17 |
| 100 | ¥1.6711 | ¥167.11 |
| 500 | ¥1.393489 | ¥696.74 |
| 1000 | ¥0.968352 | ¥968.35 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMG1012TQ-7
型号:DMG1012TQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.00329 |
| 10+: | ¥3.416534 |
| 100+: | ¥1.6711 |
| 500+: | ¥1.393489 |
| 1000+: | ¥0.968352 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.00