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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 160 mA
漏源电阻 3.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 -
正向跨导(Min) 180 mS
上升时间 -
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 -
典型接通延迟时间 -
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN55D0UTQ-7
型号:DMN55D0UTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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