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DMN55D0UTQ-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN55D0UTQ-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
渠道:
digikey

库存 :5270

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 50 V

漏极电流 160 mA

漏源电阻 3.1 Ohms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 800 mV

栅极电荷 -

耗散功率 200 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 -

正向跨导(Min) 180 mS

上升时间 -

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 -

典型接通延迟时间 -

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 2 mg

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DMN55D0UTQ-7

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型号:DMN55D0UTQ-7

品牌:DIODES

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