
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥14.27629 | ¥14.28 |
| 10 | ¥11.678007 | ¥116.78 |
| 100 | ¥9.084004 | ¥908.40 |
| 500 | ¥7.699775 | ¥3849.89 |
| 1000 | ¥6.272288 | ¥6272.29 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 98 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 32 nC
耗散功率 6.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI8429DB-E1
单位重量 45.104 mg
购物车
0SI8429DB-T1-E1
型号:SI8429DB-T1-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥14.27629 |
| 10+: | ¥11.678007 |
| 100+: | ¥9.084004 |
| 500+: | ¥7.699775 |
| 1000+: | ¥6.272288 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.28