货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.695288 | ¥4.70 |
10 | ¥3.842722 | ¥38.43 |
100 | ¥2.037506 | ¥203.75 |
500 | ¥1.34038 | ¥670.19 |
1000 | ¥0.911503 | ¥911.50 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
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0BS870-7-F
型号:BS870-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.695288 |
10+: | ¥3.842722 |
100+: | ¥2.037506 |
500+: | ¥1.34038 |
1000+: | ¥0.911503 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.70