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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥1.070362 | ¥2675.91 |
5000 | ¥1.015936 | ¥5079.68 |
12500 | ¥0.94337 | ¥11792.13 |
25000 | ¥0.921556 | ¥23038.90 |
62500 | ¥0.898087 | ¥56130.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.6 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.33 ns
典型接通延迟时间 5.03 ns
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN4800LSS-13
型号:DMN4800LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.070362 |
5000+: | ¥1.015936 |
12500+: | ¥0.94337 |
25000+: | ¥0.921556 |
62500+: | ¥0.898087 |
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