货期:(7~10天)
起订量:20
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
20 | ¥0.247705 | ¥4.95 |
200 | ¥0.181866 | ¥36.37 |
600 | ¥0.169772 | ¥101.86 |
2000 | ¥0.157679 | ¥315.36 |
10000 | ¥0.152304 | ¥1523.04 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
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0BS870-7-F
型号:BS870-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
20+: | ¥0.247705 |
200+: | ¥0.181866 |
600+: | ¥0.169772 |
2000+: | ¥0.157679 |
10000+: | ¥0.152304 |
货期:7-10天
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