
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.275901 | ¥6.28 |
| 10 | ¥5.377306 | ¥53.77 |
| 100 | ¥3.73844 | ¥373.84 |
| 500 | ¥2.918581 | ¥1459.29 |
| 1000 | ¥2.372291 | ¥2372.29 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.6 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 1.46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.5 ns
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.33 ns
典型接通延迟时间 5.03 ns
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN4800LSS-13
型号:DMN4800LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.275901 |
| 10+: | ¥5.377306 |
| 100+: | ¥3.73844 |
| 500+: | ¥2.918581 |
| 1000+: | ¥2.372291 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.28