SQ2315ES-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ2315ES-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CHAN 12V SOT23
- 渠道：
- digikey
库存 ：20085
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.185036 | ￥7.19 |
| 10 | ￥6.119669 | ￥61.20 |
| 100 | ￥4.25156 | ￥425.16 |
| 500 | ￥3.319735 | ￥1659.87 |
| 1000 | ￥2.69823 | ￥2698.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 17 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ2315ES-T1_BE3
单位重量 8 mg
SQ2315ES-T1_GE3 同类别型号
注
SQ2315ES-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQ2315ES-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ2315ES-T1_GE3
型号：SQ2315ES-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：20085 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.185036 |
| 10+： | ￥6.119669 |
| 100+： | ￥4.25156 |
| 500+： | ￥3.319735 |
| 1000+： | ￥2.69823 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.19