DMN1150UFB-7B
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- 制造商编号：
- DMN1150UFB-7B
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥0.366947 | ￥3669.47 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.41 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 34.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
DMN1150UFB-7B 同类别型号
注
DMN1150UFB-7B品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN1150UFB-7B
数据手册PDF
。
DMN1150UFB-7B
型号：DMN1150UFB-7B
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥0.366947 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00