货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.306466 | ¥5.31 |
10 | ¥3.917753 | ¥39.18 |
100 | ¥2.216297 | ¥221.63 |
500 | ¥1.467972 | ¥733.99 |
1000 | ¥1.125424 | ¥1125.42 |
2000 | ¥0.978649 | ¥1957.30 |
5000 | ¥0.880762 | ¥4403.81 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.41 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 34.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
购物车
0DMN1150UFB-7B
型号:DMN1150UFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.306466 |
10+: | ¥3.917753 |
100+: | ¥2.216297 |
500+: | ¥1.467972 |
1000+: | ¥1.125424 |
2000+: | ¥0.978649 |
5000+: | ¥0.880762 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.31