
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.084263 | ¥6.08 |
| 10 | ¥4.491999 | ¥44.92 |
| 100 | ¥2.54115 | ¥254.12 |
| 500 | ¥1.683141 | ¥841.57 |
| 1000 | ¥1.290383 | ¥1290.38 |
| 2000 | ¥1.122095 | ¥2244.19 |
| 5000 | ¥1.00986 | ¥5049.30 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.41 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 34.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
购物车
0DMN1150UFB-7B
型号:DMN1150UFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.084263 |
| 10+: | ¥4.491999 |
| 100+: | ¥2.54115 |
| 500+: | ¥1.683141 |
| 1000+: | ¥1.290383 |
| 2000+: | ¥1.122095 |
| 5000+: | ¥1.00986 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.08