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DMN1150UFB-7B

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN1150UFB-7B
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
渠道:
digikey

库存 :0

货期: 8周-10周

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.306466 5.31
10 3.917753 39.18
100 2.216297 221.63
500 1.467972 733.99
1000 1.125424 1125.42
2000 0.978649 1957.30
5000 0.880762 4403.81

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 1.41 A

漏源电阻 150 mOhms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 350 mV

栅极电荷 1.5 nC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 30 ns

上升时间 34.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 57 ns

典型接通延迟时间 4.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

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型号:DMN1150UFB-7B

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.306466
10+: ¥3.917753
100+: ¥2.216297
500+: ¥1.467972
1000+: ¥1.125424
2000+: ¥0.978649
5000+: ¥0.880762

货期:7-10天

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