
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥31.973177 | ¥31.97 |
| 10 | ¥21.708105 | ¥217.08 |
| 100 | ¥15.489399 | ¥1548.94 |
| 500 | ¥12.728691 | ¥6364.35 |
| 1000 | ¥11.82824 | ¥11828.24 |
| 2000 | ¥11.7031 | ¥23406.20 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 990 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.83 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH6200TRPBF SP001575628
单位重量 122.136 mg
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0IRFH6200TRPBF
型号:IRFH6200TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥31.973177 |
| 10+: | ¥21.708105 |
| 100+: | ¥15.489399 |
| 500+: | ¥12.728691 |
| 1000+: | ¥11.82824 |
| 2000+: | ¥11.7031 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥31.97