SIHG25N50E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG25N50E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：487
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥51.993306 | ￥51.99 |
| 10 | ￥46.737308 | ￥467.37 |
| 25 | ￥44.178727 | ￥1104.47 |
| 100 | ￥35.344115 | ￥3534.41 |
| 250 | ￥33.380553 | ￥8345.14 |
| 500 | ￥31.416991 | ￥15708.50 |
| 1000 | ￥26.900799 | ￥26900.80 |
| 2500 | ￥26.508086 | ￥66270.21 |
| 5000 | ￥24.151811 | ￥120759.05 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 36 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG25N50E-GE3 同类别型号
注
SIHG25N50E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHG25N50E-GE3、查询SIHG25N50E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHG25N50E-GE3
数据手册PDF。
SIHG25N50E-GE3
型号：SIHG25N50E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：487 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥51.993306 |
| 10+： | ￥46.737308 |
| 25+： | ￥44.178727 |
| 100+： | ￥35.344115 |
| 250+： | ￥33.380553 |
| 500+： | ￥31.416991 |
| 1000+： | ￥26.900799 |
| 2500+： | ￥26.508086 |
| 5000+： | ￥24.151811 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥51.99