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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3L080SN
单位重量 330 mg
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0RD3L080SNTL1
型号:RD3L080SNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
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