SIHB22N60AE-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHB22N60AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥11.015148 | ￥11015.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 33 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB22N60AE-GE3 同类别型号
注
SIHB22N60AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB22N60AE-GE3、查询SIHB22N60AE-GE3代理商；
SIHB22N60AE-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHB22N60AE-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHB22N60AE-GE3
替代型号
、SIHB22N60AE-GE3
数据手册PDF。
SIHB22N60AE-GE3
型号：SIHB22N60AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥11.015148 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00