货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥9.267366 | ¥2316.84 |
500 | ¥8.189836 | ¥4094.92 |
1250 | ¥6.465763 | ¥8082.20 |
2500 | ¥6.034658 | ¥15086.65 |
6250 | ¥5.732954 | ¥35830.96 |
12500 | ¥5.517402 | ¥68967.52 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 24.6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.29 us
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 600 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 3.45 us
典型接通延迟时间 58 ns
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
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0CSD22204WT
型号:CSD22204WT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥9.267366 |
500+: | ¥8.189836 |
1250+: | ¥6.465763 |
2500+: | ¥6.034658 |
6250+: | ¥5.732954 |
12500+: | ¥5.517402 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00