SI2315BDS-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI2315BDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：15758
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.877975 | ￥8.88 |
| 10 | ￥7.804667 | ￥78.05 |
| 100 | ￥5.98402 | ￥598.40 |
| 500 | ￥4.730503 | ￥2365.25 |
| 1000 | ￥3.784402 | ￥3784.40 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 8 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2315BDS-GE3
单位重量 8 mg
SI2315BDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2315BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2315BDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2315BDS-T1-GE3
型号：SI2315BDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：15758 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.877975 |
| 10+： | ￥7.804667 |
| 100+： | ￥5.98402 |
| 500+： | ￥4.730503 |
| 1000+： | ￥3.784402 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.88