
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥52.701663 | ¥52.70 |
| 10 | ¥47.289825 | ¥472.90 |
| 25 | ¥44.711411 | ¥1117.79 |
| 100 | ¥35.769129 | ¥3576.91 |
| 250 | ¥33.781766 | ¥8445.44 |
| 500 | ¥31.794403 | ¥15897.20 |
| 1000 | ¥27.22395 | ¥27223.95 |
| 2500 | ¥26.826562 | ¥67066.40 |
| 5000 | ¥24.441954 | ¥122209.77 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 150.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 36 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB190CZ
单位重量 2 g
购物车
0TSM60NB190CZ C0G
型号:TSM60NB190CZ C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥52.701663 |
| 10+: | ¥47.289825 |
| 25+: | ¥44.711411 |
| 100+: | ¥35.769129 |
| 250+: | ¥33.781766 |
| 500+: | ¥31.794403 |
| 1000+: | ¥27.22395 |
| 2500+: | ¥26.826562 |
| 5000+: | ¥24.441954 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥52.70