货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥29.960547 | ¥29.96 |
10 | ¥26.900138 | ¥269.00 |
100 | ¥22.040666 | ¥2204.07 |
500 | ¥18.762596 | ¥9381.30 |
1000 | ¥16.954167 | ¥16954.17 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 176 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 84 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 59 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP21N60EF-BE3
单位重量 2 g
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0SIHP21N60EF-GE3
型号:SIHP21N60EF-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥29.960547 |
10+: | ¥26.900138 |
100+: | ¥22.040666 |
500+: | ¥18.762596 |
1000+: | ¥16.954167 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.96