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起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.814777 | ¥2444.33 |
| 6000 | ¥0.765395 | ¥4592.37 |
| 15000 | ¥0.716015 | ¥10740.22 |
| 30000 | ¥0.656759 | ¥19702.77 |
| 75000 | ¥0.632069 | ¥47405.18 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.62 ns
正向跨导(Min) 6.1 S
上升时间 5.21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.47 ns
典型接通延迟时间 2.49 ns
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN2A01FTA
型号:ZXMN2A01FTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.814777 |
| 6000+: | ¥0.765395 |
| 15000+: | ¥0.716015 |
| 30000+: | ¥0.656759 |
| 75000+: | ¥0.632069 |
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