
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.555887 | ¥24.56 |
| 10 | ¥22.041833 | ¥220.42 |
| 100 | ¥18.059102 | ¥1805.91 |
| 500 | ¥15.373389 | ¥7686.69 |
| 1000 | ¥13.891617 | ¥13891.62 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 33 ns
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0SIHG22N60AE-GE3
型号:SIHG22N60AE-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.555887 |
| 10+: | ¥22.041833 |
| 100+: | ¥18.059102 |
| 500+: | ¥15.373389 |
| 1000+: | ¥13.891617 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥24.56