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DMN2600UFB-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2600UFB-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.439443 1318.33
6000 0.407643 2445.86
9000 0.337984 3041.86
30000 0.33207 9962.10
75000 0.298251 22368.83

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 1.3 A

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 450 mV

栅极电荷 850 pC

耗散功率 540 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

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DMN2600UFB-7

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型号:DMN2600UFB-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.439443
6000+: ¥0.407643
9000+: ¥0.337984
30000+: ¥0.33207
75000+: ¥0.298251

货期:1-2天

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