货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.569613 | ¥17.57 |
10 | ¥14.404592 | ¥144.05 |
100 | ¥11.203433 | ¥1120.34 |
500 | ¥9.496066 | ¥4748.03 |
1000 | ¥7.735615 | ¥7735.61 |
2000 | ¥7.28217 | ¥14564.34 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 371 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 33.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ42DN25NS3 G SP000781796
单位重量 38.760 mg
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0BSZ42DN25NS3GATMA1
型号:BSZ42DN25NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.569613 |
10+: | ¥14.404592 |
100+: | ¥11.203433 |
500+: | ¥9.496066 |
1000+: | ¥7.735615 |
2000+: | ¥7.28217 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.57