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DMN2600UFB-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN2600UFB-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
渠道:
digikey

库存 :24294

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.485859 4.49
10 3.10272 31.03
100 1.511486 151.15
500 1.261026 630.51
1000 0.876114 876.11

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 1.3 A

漏源电阻 600 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 450 mV

栅极电荷 850 pC

耗散功率 540 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 2 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 80 mg

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DMN2600UFB-7

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型号:DMN2600UFB-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:24294 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥4.485859
10+: ¥3.10272
100+: ¥1.511486
500+: ¥1.261026
1000+: ¥0.876114

货期:7-10天

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