货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.485859 | ¥4.49 |
10 | ¥3.10272 | ¥31.03 |
100 | ¥1.511486 | ¥151.15 |
500 | ¥1.261026 | ¥630.51 |
1000 | ¥0.876114 | ¥876.11 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 850 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN2600UFB-7
型号:DMN2600UFB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.485859 |
10+: | ¥3.10272 |
100+: | ¥1.511486 |
500+: | ¥1.261026 |
1000+: | ¥0.876114 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.49