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SIS410DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIS410DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
渠道:
digikey

库存 :135058

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 16.008845 16.01
10 14.25212 142.52
100 11.11127 1111.13
500 9.178876 4589.44
1000 7.24648 7246.48

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 4.8 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 41 nC

耗散功率 52 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SIS410DN-GE3

单位重量 1 g

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SIS410DN-T1-GE3

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型号:SIS410DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:135058 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥16.008845
10+: ¥14.25212
100+: ¥11.11127
500+: ¥9.178876
1000+: ¥7.24648

货期:7-10天

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