
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.000706 | ¥7.00 |
| 10 | ¥5.457694 | ¥54.58 |
| 100 | ¥3.273188 | ¥327.32 |
| 500 | ¥3.030306 | ¥1515.15 |
| 1000 | ¥2.060636 | ¥2060.64 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 28 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 620 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 5.4 S
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 2.15 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN3150LW-7
型号:DMN3150LW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.000706 |
| 10+: | ¥5.457694 |
| 100+: | ¥3.273188 |
| 500+: | ¥3.030306 |
| 1000+: | ¥2.060636 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.00