NSS40300DDR2G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥2.029879 | ￥5074.70 |
| 5000 | ￥1.92304 | ￥9615.20 |
| 12500 | ￥1.780588 | ￥22257.35 |
| 25000 | ￥1.762959 | ￥44073.97 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V
集电极—基极电压 - 40 V
发射极 - 基极电压 - 7 V
饱和电压 - 135 mV
最大直流电集电极电流 - 3 A
耗散功率 783 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 3 A
直流集电极 250
直流电流增益（Max） 250 at 10 mA, 2 V
技术 Si
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 143 mg
NSS40300DDR2G 同类别型号
注
NSS40300DDR2G
型号：NSS40300DDR2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥2.029879 |
| 5000+： | ￥1.92304 |
| 12500+： | ￥1.780588 |
| 25000+： | ￥1.762959 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00