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SIHP22N60E-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHP22N60E-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
渠道:
国内现货
自营
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 23.264063 23.26
10 20.920339 209.20
100 17.13863 1713.86
500 14.589743 7294.87
1000 12.304553 12304.55

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 21 A

漏源电阻 180 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 57 nC

耗散功率 227 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 35 ns

上升时间 27 ns

典型关闭延迟时间 66 ns

典型接通延迟时间 18 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SIHP22N60E-GE3

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型号:SIHP22N60E-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥23.264063
10+: ¥20.920339
100+: ¥17.13863
500+: ¥14.589743
1000+: ¥12.304553

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