
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.264063 | ¥23.26 |
| 10 | ¥20.920339 | ¥209.20 |
| 100 | ¥17.13863 | ¥1713.86 |
| 500 | ¥14.589743 | ¥7294.87 |
| 1000 | ¥12.304553 | ¥12304.55 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHP22N60E-GE3
型号:SIHP22N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.264063 |
| 10+: | ¥20.920339 |
| 100+: | ¥17.13863 |
| 500+: | ¥14.589743 |
| 1000+: | ¥12.304553 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.26