
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥2.00649 | ¥6019.47 |
| 6000 | ¥1.900876 | ¥11405.26 |
| 9000 | ¥1.760117 | ¥15841.05 |
| 30000 | ¥1.74266 | ¥52279.80 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 27.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.5 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 12.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NVMYS025N06CLTWG
型号:NVMYS025N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥2.00649 |
| 6000+: | ¥1.900876 |
| 9000+: | ¥1.760117 |
| 30000+: | ¥1.74266 |
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