搜索

SI4425BDY-T1-E3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SI4425BDY-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 3.69112 9227.80
5000 3.515318 17576.59
12500 3.353123 41914.04

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 11.4 A

漏源电阻 12 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 100 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 53 ns

正向跨导(Min) 29 S

上升时间 13 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 100 ns

典型接通延迟时间 15 ns

外形参数

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4425BDY-T1

单位重量 187 mg

SI4425BDY-T1-E3 相关产品

SI4425BDY-T1-E3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI4425BDY-T1-E3、查询SI4425BDY-T1-E3代理商; SI4425BDY-T1-E3价格批发咨询客服;这里拥有 SI4425BDY-T1-E3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SI4425BDY-T1-E3 替代型号 、SI4425BDY-T1-E3 数据手册PDF

购物车

SI4425BDY-T1-E3

锐单logo

型号:SI4425BDY-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥3.69112
5000+: ¥3.515318
12500+: ¥3.353123

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00