SI4425BDY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4425BDY-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.686629 | ￥17.69 |
| 10 | ￥14.463099 | ￥144.63 |
| 100 | ￥11.250978 | ￥1125.10 |
| 500 | ￥9.536517 | ￥4768.26 |
| 1000 | ￥7.768566 | ￥7768.57 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11.4 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 100 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 53 ns
正向跨导（Min） 29 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4425BDY-T1
单位重量 187 mg
SI4425BDY-T1-E3 同类别型号
注
SI4425BDY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI4425BDY-T1-E3
数据手册PDF。
SI4425BDY-T1-E3
型号：SI4425BDY-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.686629 |
| 10+： | ￥14.463099 |
| 100+： | ￥11.250978 |
| 500+： | ￥9.536517 |
| 1000+： | ￥7.768566 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.69