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2N7002-7-F

DIODES(美台)
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制造商编号:
2N7002-7-F
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.244312 732.94
6000 0.231043 1386.26
9000 0.196647 1769.82
30000 0.181864 5455.92
75000 0.157346 11800.95

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 210 mA

漏源电阻 5 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 223 pC

耗散功率 540 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 5.6 ns

正向跨导(Min) 80 mS

上升时间 3 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 7.6 ns

典型接通延迟时间 2.8 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor

单位重量 8 mg

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2N7002-7-F

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型号:2N7002-7-F

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.244312
6000+: ¥0.231043
9000+: ¥0.196647
30000+: ¥0.181864
75000+: ¥0.157346

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