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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.244312 | ¥732.94 |
6000 | ¥0.231043 | ¥1386.26 |
9000 | ¥0.196647 | ¥1769.82 |
30000 | ¥0.181864 | ¥5455.92 |
75000 | ¥0.157346 | ¥11800.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 223 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
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02N7002-7-F
型号:2N7002-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.244312 |
6000+: | ¥0.231043 |
9000+: | ¥0.196647 |
30000+: | ¥0.181864 |
75000+: | ¥0.157346 |
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