货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.141418 | ¥11.14 |
10 | ¥9.668276 | ¥96.68 |
100 | ¥6.695993 | ¥669.60 |
500 | ¥5.594478 | ¥2797.24 |
1000 | ¥4.761223 | ¥4761.22 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 27.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.5 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 12.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NVMYS025N06CLTWG
型号:NVMYS025N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.141418 |
10+: | ¥9.668276 |
100+: | ¥6.695993 |
500+: | ¥5.594478 |
1000+: | ¥4.761223 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.14