
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.774477 | ¥12.77 |
| 10 | ¥11.085408 | ¥110.85 |
| 100 | ¥7.677461 | ¥767.75 |
| 500 | ¥6.414491 | ¥3207.25 |
| 1000 | ¥5.459103 | ¥5459.10 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 27.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.5 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 12.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS025N06CLTWG
型号:NVMYS025N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.774477 |
| 10+: | ¥11.085408 |
| 100+: | ¥7.677461 |
| 500+: | ¥6.414491 |
| 1000+: | ¥5.459103 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.77