
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.380132 | ¥1140.40 |
| 6000 | ¥0.352605 | ¥2115.63 |
| 9000 | ¥0.292375 | ¥2631.38 |
| 30000 | ¥0.287261 | ¥8617.83 |
| 75000 | ¥0.25803 | ¥19352.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.9 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN53D0L-7
型号:DMN53D0L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.380132 |
| 6000+: | ¥0.352605 |
| 9000+: | ¥0.292375 |
| 30000+: | ¥0.287261 |
| 75000+: | ¥0.25803 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00