
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.727618 | ¥2.73 |
| 10 | ¥1.697186 | ¥16.97 |
| 100 | ¥1.045588 | ¥104.56 |
| 500 | ¥0.761007 | ¥380.50 |
| 1000 | ¥0.66857 | ¥668.57 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 223 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.6 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
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02N7002-7-F
型号:2N7002-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥2.727618 |
| 10+: | ¥1.697186 |
| 100+: | ¥1.045588 |
| 500+: | ¥0.761007 |
| 1000+: | ¥0.66857 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.73