TSM230N06PQ56 RLG
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- 制造商编号：
- TSM230N06PQ56 RLG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：1190
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.067227 | ￥9.07 |
| 10 | ￥7.763815 | ￥77.64 |
| 25 | ￥7.248116 | ￥181.20 |
| 100 | ￥5.383667 | ￥538.37 |
| 250 | ￥5.114484 | ￥1278.62 |
| 500 | ￥4.20351 | ￥2101.75 |
| 1000 | ￥3.416645 | ￥3416.64 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM230N06PQ56 RLG
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
23mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
28nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1680pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
TSM230N06PQ56 RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM230N06PQ56 RLG
数据手册PDF。
TSM230N06PQ56 RLG
型号：TSM230N06PQ56 RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：1190 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.067227 |
| 10+： | ￥7.763815 |
| 25+： | ￥7.248116 |
| 100+： | ￥5.383667 |
| 250+： | ￥5.114484 |
| 500+： | ￥4.20351 |
| 1000+： | ￥3.416645 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥9.07