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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 22 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 79 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ7E110AJ
单位重量 10 mg
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0RQ7E110AJTCR
型号:RQ7E110AJTCR
品牌:ROHM
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