
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.242961 | ¥4.24 |
| 10 | ¥2.636698 | ¥26.37 |
| 100 | ¥1.64718 | ¥164.72 |
| 500 | ¥1.213184 | ¥606.59 |
| 1000 | ¥1.072713 | ¥1072.71 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.9 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN53D0L-7
型号:DMN53D0L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.242961 |
| 10+: | ¥2.636698 |
| 100+: | ¥1.64718 |
| 500+: | ¥1.213184 |
| 1000+: | ¥1.072713 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.24