货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.507509 | ¥5.51 |
10 | ¥3.763464 | ¥37.63 |
100 | ¥1.834307 | ¥183.43 |
500 | ¥1.529559 | ¥764.78 |
1000 | ¥1.062797 | ¥1062.80 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.9 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN53D0L-7
型号:DMN53D0L-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.507509 |
10+: | ¥3.763464 |
100+: | ¥1.834307 |
500+: | ¥1.529559 |
1000+: | ¥1.062797 |
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