
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.951692 | ¥7379.23 |
| 5000 | ¥2.804116 | ¥14020.58 |
| 12500 | ¥2.698704 | ¥33733.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50N04S4L-08 SP000711456
单位重量 330 mg
购物车
0IPD50N04S4L08ATMA1
型号:IPD50N04S4L08ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.951692 |
| 5000+: | ¥2.804116 |
| 12500+: | ¥2.698704 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00