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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 3.2 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.77 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUL035N02
单位重量 7.500 mg
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0RUL035N02TR
型号:RUL035N02TR
品牌:ROHM
供货:锐单
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