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起订量:10000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10000 | ¥0.609625 | ¥6096.25 |
30000 | ¥0.600539 | ¥18016.17 |
50000 | ¥0.564484 | ¥28224.20 |
100000 | ¥0.558859 | ¥55885.90 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 580 pC
耗散功率 425 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 6.63 ns
典型关闭延迟时间 21.9 ns
典型接通延迟时间 4.46 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMP56D0UFB-7B
型号:DMP56D0UFB-7B
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.609625 |
30000+: | ¥0.600539 |
50000+: | ¥0.564484 |
100000+: | ¥0.558859 |
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