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数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥1.350871 | ¥6754.35 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 115 mV
最大直流电集电极电流 -
耗散功率 2.25 W
增益带宽产品 130 MHz
集电极连续电流 600 mA
直流集电极 80 at 10 mA, 5 V
直流电流增益(Max) 250 at 10 mA, 5 V
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 93 mg
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0DXT5551P5Q-13
型号:DXT5551P5Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥1.350871 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00