货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.470146 | ¥9.47 |
10 | ¥7.738106 | ¥77.38 |
100 | ¥6.019774 | ¥601.98 |
500 | ¥5.102416 | ¥2551.21 |
1000 | ¥5.046592 | ¥5046.59 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 182 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 108 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 118 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44.500 mg
购物车
0CSD17575Q3
型号:CSD17575Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.470146 |
10+: | ¥7.738106 |
100+: | ¥6.019774 |
500+: | ¥5.102416 |
1000+: | ¥5.046592 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.47