
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.021896 | ¥5.02 |
| 10 | ¥3.718917 | ¥37.19 |
| 100 | ¥2.105124 | ¥210.51 |
| 500 | ¥1.393644 | ¥696.82 |
| 1000 | ¥1.068579 | ¥1068.58 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 820 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 622.4 pC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20.7 ns
正向跨导(Min) 0.9 S
上升时间 8.1 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28.4 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
购物车
0DMG1013UWQ-7
型号:DMG1013UWQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.021896 |
| 10+: | ¥3.718917 |
| 100+: | ¥2.105124 |
| 500+: | ¥1.393644 |
| 1000+: | ¥1.068579 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.02