货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.700186 | ¥2.70 |
10 | ¥2.633514 | ¥26.34 |
30 | ¥2.583511 | ¥77.51 |
100 | ¥1.866795 | ¥186.68 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 10 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8808DB-T2-E1
型号:SI8808DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.700186 |
10+: | ¥2.633514 |
30+: | ¥2.583511 |
100+: | ¥1.866795 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.70