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SI8808DB-T2-E1

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI8808DB-T2-E1
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 2.700186 2.70
10 2.633514 26.34
30 2.583511 77.51
100 1.866795 186.68

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 2.5 A

漏源电阻 95 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 10 nC

耗散功率 900 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 0.65 mm

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 45.104 mg

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SI8808DB-T2-E1

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型号:SI8808DB-T2-E1

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥2.700186
10+: ¥2.633514
30+: ¥2.583511
100+: ¥1.866795

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