
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.275811 | ¥17.28 |
| 50 | ¥13.883149 | ¥694.16 |
| 100 | ¥11.423261 | ¥1142.33 |
| 500 | ¥9.665846 | ¥4832.92 |
| 1000 | ¥8.201294 | ¥8201.29 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB3207ZPBF SP001575584
单位重量 2 g
购物车
0IRFB3207ZPBF
型号:IRFB3207ZPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.275811 |
| 50+: | ¥13.883149 |
| 100+: | ¥11.423261 |
| 500+: | ¥9.665846 |
| 1000+: | ¥8.201294 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.28