货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.665911 | ¥4.67 |
10 | ¥4.550704 | ¥45.51 |
30 | ¥4.464298 | ¥133.93 |
100 | ¥3.225815 | ¥322.58 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 10 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
购物车
0SI8808DB-T2-E1
型号:SI8808DB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.665911 |
10+: | ¥4.550704 |
30+: | ¥4.464298 |
100+: | ¥3.225815 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.67