货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.00641 | ¥6.01 |
10 | ¥5.312814 | ¥53.13 |
100 | ¥4.075778 | ¥407.58 |
500 | ¥3.221725 | ¥1610.86 |
1000 | ¥2.577393 | ¥2577.39 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 625 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 150 mS
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 4.01 mm
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0ZVN3306A
型号:ZVN3306A
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.00641 |
10+: | ¥5.312814 |
100+: | ¥4.075778 |
500+: | ¥3.221725 |
1000+: | ¥2.577393 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.01