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BVSS123LT1G

ON(安森美)
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制造商编号:
BVSS123LT1G
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.606026 1818.08
6000 0.572327 3433.96
15000 0.521813 7827.19
30000 0.488184 14645.52
75000 0.43767 32825.25

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 170 mA

漏源电阻 6 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.6 V

栅极电荷 -

耗散功率 225 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

正向跨导(Min) 80 S

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 40 ns

典型接通延迟时间 20 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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BVSS123LT1G

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型号:BVSS123LT1G

品牌:ON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.606026
6000+: ¥0.572327
15000+: ¥0.521813
30000+: ¥0.488184
75000+: ¥0.43767

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