货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.606026 | ¥1818.08 |
6000 | ¥0.572327 | ¥3433.96 |
15000 | ¥0.521813 | ¥7827.19 |
30000 | ¥0.488184 | ¥14645.52 |
75000 | ¥0.43767 | ¥32825.25 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 -
耗散功率 225 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 S
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0BVSS123LT1G
型号:BVSS123LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.606026 |
6000+: | ¥0.572327 |
15000+: | ¥0.521813 |
30000+: | ¥0.488184 |
75000+: | ¥0.43767 |
货期:1-2天
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