货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.088604 | ¥16.09 |
10 | ¥14.467826 | ¥144.68 |
25 | ¥13.676505 | ¥341.91 |
100 | ¥10.940251 | ¥1094.03 |
250 | ¥10.332458 | ¥2583.11 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 109 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 49 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXTA200N055T2
型号:IXTA200N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.088604 |
10+: | ¥14.467826 |
25+: | ¥13.676505 |
100+: | ¥10.940251 |
250+: | ¥10.332458 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.09