NVD5117PLT4G-VF01
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- 制造商编号：
- NVD5117PLT4G-VF01
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥19.773192 | ￥49432.98 |
| 5000 | ￥19.029855 | ￥95149.28 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 61 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 118 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 132 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 195 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
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注
NVD5117PLT4G-VF01品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVD5117PLT4G-VF01
数据手册PDF。
NVD5117PLT4G-VF01
型号：NVD5117PLT4G-VF01
品牌：ON
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥19.773192 |
| 5000+： | ￥19.029855 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00